晶圆之工艺:干式蚀刻技术


    干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。1>电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料的高
干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。

1>电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分子。

2>电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷。

在半导体的制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除

晶圆系置于带负电的 阴极之上,因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,而后者 也是干式蚀刻的重要角色。

1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动 作将其排出。
2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击(sputtering)出来。

基本上,随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同,蚀刻由下列两种模式单独或混会进行