微影技術II-蝕刻
◆ 微影技術的後半部,將光罩底膜的光阻進行蝕刻,以及進行灰化製程將不要的光阻去除。 濕式製程 乾式製程 ◇技術上傳統的印象 ◇產生公害的印象 ◇伴隨污染的印象 ◇控制困難的印象 ◇不需要真空 ◆頂尖技術的印象 ◆不產生公害的印象 ◆乾淨的印象 ◆控制容易的印象 ◆需要真空 ◇損害光阻的黏著度 ◇反應生成物難以脫離 ◇必須控制溶液(組成、時間的變化 、溫度等 ) ◇控制圖案形狀困難 ◇終點檢測困難 ◇加工的對象有限 ◇蝕刻選擇比常為無限制 ◇不適用於微細圖案的形成 ◇不擔心輻射損傷 ◆保護光阻的黏著度 ◆反應生成物易脫離 ◆氣體控制(壓力、流量等)容易 ◆可控制精密的圖案形狀 ◆終點檢測容易 ◆加工的對象有限 ◆蝕刻選擇比的限制多 ◆適用於微細圖案的形成 ◆擔心會有輻射損傷及污染
◆ 微影技術II包含對光罩下的光阻進行蝕刻和光阻去除。雖然也有不使用光罩,進行全面蝕刻的方式,但不包括在微影技術的範圍內。
◆ 以光罩進行底膜光阻圖案的蝕刻可分乾式和濕式兩種。
◆ 乾式蝕刻是利用電漿,對底膜就是光阻,產生可進行蝕刻的活性種 。
◆ 濕式蝕刻則是將晶圓浸入藥水中進行底膜的蝕刻。
◆ 製程的乾式化,可得到與過去濕式製程完全不同的效果,對於元件的高積體化、高密度化貢獻良多。
濕式和乾式蝕刻的比較
氧化膜蝕刻 | 接觸窗 |
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介層窗 |
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矽蝕刻 | 隔離層圖案(矽溝槽)溝槽電容器 |
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回蝕(平坦化) | 〈不使用光阻〉 | |
氮化膜蝕刻 | LOCOS的圖案 |
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銲墊 | 電漿CVD SiN膜 | |
全面蝕刻 | LOCOS氧化結束後 (使用SiO2光罩、去除PR) | |
多晶矽、矽化物蝕刻 | 閘極電極 |
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電容器電極 | 三維結構的加工 | |
金屬蝕刻 | Al電極配線 |
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回蝕 (W插塞 ) |
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其他 | 鐵電薄膜以及其他電極材料的蝕刻 |
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