可见光光源蚀刻纳米级尺寸图形

光刻技术目前研究的热点是将光刻光源的波长推向极短波长，而美国马里兰大学的一个研究小组则在研究一种基于可见光波长的多光子光阻胶技术，这种光刻技术可以实现纳米级的光刻解析度，其解析度与曝光时间成反比。

 

该小组的成员John Fourkas教授表示：“目前大多数以提高解析度为目的的方案都采用的是短波长光源技术，而我们的目的则是利用可见光光源光刻出纳米尺寸级别的图形。”

这种多光子技术名为光致钝化法解析度拓展（Resolution Augmentation through Photo-Induced Deactivation (RAPID)），成像方法是使用激光光源对光阻胶先进行一次初步曝光，然后再在第二次曝光中完成整个成像过程，这样只有两次光源照射到的交叠部位才会完全成像，如此便可实现曝光区域的纳米级尺度。

 

Fourkas教授介绍说：“我们使用显微镜的物镜对激光光源进行聚焦，并且可以控制光场中只有聚焦体积（focal volume）部位照射到的部分被光阻胶吸收。”

 

 

该研究小组已经将这种技术的前身应用到了芯片内3-D材料的聚合工艺（多光子吸收聚合技术Multi-photon Absorption Polymerization (MAP)）中去，使用这种工艺，研究小组已经在芯片内造出了微型电感元件。而RAPID技术则是这种技术的后续发展成果，使用RAPID技术，人们可以使用聚焦后的可见光作为纳米级光刻的光源，而不必使用极紫外EUV光源。

另外，相比EUV系统必须在真空环境下工作的特性，这种新技术在常压环境下即可实现。

研究小组的下一步计划是在实际的晶圆上试验这种技术，并称RAPID技术有望在10年内实现商业化。